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回路基板
移動体通信機器基板、人工衛星基板
各種センサ基板、放電電極基板、照明基板
ディスクリート基板、ＬＥＤ、ＬＤサブマウント基板 |
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薄膜回路基板,
(マイクロ波基板)
リソグラフィ法 |
厚膜回路基板
(サブストレート)
微細印刷法 |
円筒基板
(産業機器向）
曲面印刷法 |
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平面照明パネル
(透明サブストレート)
微細印刷法 |
蛍光体基板
（ディスプレイ、照明用）
微細印刷法 |
プローヴ基板
（ＩＣ、ディスプレイ検査向）
リソグラフィ法 |
セラミック、ガラス、ＰＥＴ、ＰＩ、金属などの基板上に、スクリーン印刷（厚膜）及びＰＶＤ（薄膜）技術とリソグラフィ技術を用い、導体、誘電体、抵抗体、蛍光体回路を形成致します。人工衛星、基地局などの情報通信機器や、産業機器、センサ、民生デバイス、ディスプレイで私たちの製品が使われております。セラミック基板、ガラス基板、金属基板は、私たちにお任せください。
お客様のご要求に応じて、精密回路基板を高い信頼性で提供いたします。
特徴１．全工程クリーンルーム。
特徴２．様々な種類の回路を任意形状に回路形成可能。
特徴３．ＬＥＤ、ＬＤのベア実装、チップ実装用の高反射、高放熱基板が提供可能。
特徴４．小型から大型基板まで対応。
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厚膜/
薄膜技術 |
厚膜、薄膜 成膜法による 導体、誘電体、抵抗体、蛍光体の成膜、及び回路形成
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| 【厚膜： スクリーン印刷、焼成】 最大サイズ1600×1000mm |
 導体(Au , Ag , Ag/Pt)) 抵抗体(RuO2 , Ag/Pd , C) 誘電体(ガラス , PI , ソルダーレジスト)
有機Au膜、蛍光体(RGB）、 鉛フリーガラス対応可 |
| スクリーン印刷、ディスペンサーによる直接パターン形成 |
| 円筒、角柱も可能、どのような母材形状でも対応を検討致します。 |
| 【薄膜： 蒸着、スパッタリング 成膜】 最大サイズ100×100mm |
スパッタリング(Cr , Ti , Pd , Cu , Au , NiCr , TaN) 蒸着(Cr , Ti , Pd , Ni , Mo
, Au , Pt)
電解メッキ、無電解メッキ（Au , Ag , Cu , Ni , Sn , 半田）
鉛フリー半田対応可 |
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| リソグラフィ、リフトオフよるパターン形成 |
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| 異形基材への成膜、パータン形成 |
| 付属技術 |
レーザー加工(CO2レーザー加工) 外形加工、スルーホール加工 |
| サンドブラスト加工（マイクロブラスト加工) 外形加工、スルーホール加工 |
| ダイシング加工 |
| スクライブ加工（ガラススクライブ、レーザースクライブ） |
| 部品実装、組立 |
| 溶射加工 |
| 研磨加工 |
| 用途 |
各種センサ |
温湿度センサ、バイオセンサ、加速度センサ、圧力センサ 等 |
| 各種ディスプレイ |
LCD、PDP、EL 等 |
| 実装基板 |
MIC、HIC、MCM、BGA、CSP、LEDサブマウント 等 |
| 光通信用 |
高誘電体基板 等 |
詳細は下のボタンをクリックして下さい
回路基板ＴＯＰ
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厚膜：
スクリーン印刷機
ディスペンサー
焼成炉
薄膜：
スパッタリング装置
蒸着装置
メッキ装置
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レジスト塗布機
露光機
現像機
エッチング機
レジスト除去機 |
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レーザー加工機
ダイシング装置
スクライバー装置
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外観検査
膜厚検査
寸法検査
各種電気検査
実装評価
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故障解析機器
信頼性試験機 |
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回路基板ＴＯＰ
| 主要工程 |
スクリーン印刷、焼成、フォトリソグラフィ、外観検査、電気検査 |
| 基材 |
セラミック、ガラス、ＰＩ、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属板 等 |
| ペースト |
ガラス、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＰＩ、ソルダーレジスト、カーボン、その他 |
| 膜厚 |
0.2μｍ～100μｍ |
| 線幅 |
Line / Space ≧ 100 / 120μｍ |
| サイズ |
最大 1000×1600mm |
| 実用例 |
高放熱基板、センサ基板、ＬＣＤ、タッチパネル、ヒーター |
| 応用製品 |
各種 回路基板 |
■直接描画
ペースト化した材料を高性能ディスペンサー装置を用いて描画します。
塗布量を制限して高価な材料もロスの少ない形成ができ、窪み構造などへのインク埋め込みも可能。
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| 主要工程 |
直接描画 |
| 適用基材 |
蛍光体、ガラス、樹脂、その他 |
| 可能線幅 |
ＭＩＮ Ｌｉｎｅ/Ｓｐａｃｅ≧50/50（μｍ） |
| 実用例 |
抵抗体、蛍光体等 |
| 応用製品 |
ＰＯＳ、ＡＴＭ、ラベル用 印字ヘッドの発熱体 |
| 規格外のご要求品でもぜひに都度ご相談ください。前向に対応をさせていただきます。 |
■製品、品質を保証する為、各種環境試験装置、解析機器を取り揃えています。
・高温保存試験 高温高湿試験、熱衝撃試験、低温保存試験、高温高湿バイアス試験
・ＴＣＲ試験、マイグレーション試験、半田濡れ性試験、引張り強度、シェア強度試験、断面試料作成装置
・レーザー他各種顕微鏡
その他、試験も対応可能ですので御相談下さい。
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薄膜成膜（ＰＶＤ）
スパッタリングとは
スパッタリングとは、真空中で高エネルギーの粒子（Ａｒ+）をターゲット（Ａｕ、Ｃｕなどの母材）に入射し、その衝突により運動エネルギーの一部がターゲット原子に与えられ、その結果ターゲット表面からターゲット原子放出され、基板に輸送され薄膜を成膜するプロセスです。
蒸着とは
蒸着とは、真空蒸着とも呼ばれ、真空中で物質を加熱蒸発させて、基板に付着させて薄膜を成膜するプロセスです。応用型としてイオンプレーティングがあり、蒸発粒子をイオン化することで、粒子の運動エネルギーを高めた成膜するプロセスです。
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当社では6種類＋αのターゲットを用意しております。
尚、弊社標準の導体膜は、Ｔｉ-Ｐｄ-Ａｕ Ｔｉ-Ｐｄ-Ｃｕ です。 |
| 導体膜用 |
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ |
| 抵抗膜用 |
Ｔａ |
パターン形成
１）リソグラフィ法
フォトマスクの微細回路を、薄膜基板上のフォトレジストに転写します。
選択的に保護された薄膜基板にエッチングやメッキを繰り返し行い、集積回路パターン形成します。
フォトレジストは最終的に除去され基板上には残りません。
※フォトレジストとは
半導体、回路基板のリソグラフィ工程において，加工すべき基板にパターンを形成するための感光剤をいう．レジストは，パターン情報の実像化(露光～現像工程)，被加工層のマスク(エッチング工程)という2つの役割を果たす．使用する光源の種類により，フォトレジスト(photoresist，紫外線:g線＝436nm,i線＝365nm)，遠紫外線レジスト(Deep
UV resist，Xe Hgランプ＝250nm;エキシマーレーザーKrF＝248nm;エキシマーレーザーArF＝193nm)，X線レジスト(X
ray resist，10～0.44nm;線源によって異なる)，電子線レジスト(electron resist，10～50kV)がある．素材面からは高分子レジストと無機レジストに分類される．前者は高分子およびその添加剤の光反応(架橋，分解など)が，後者(主にカルコゲナイド薄膜)は光照射による構造変化(黒化，結晶化，フォトドーピングなど)が，素材の溶解性を変化させることを基本原理としている．両者ともに光照射部が不溶化するものをネガ型，可溶化するものをポジ型とよんでいる．
2)メタルマスク法
メタルマスクによりリソグフィ法を用いずに回路を形成することができます。
寸法精度はリソグラフィより劣ります。
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外形加工
純度の高い（９９．５％以上）アルミナセラミックスは非常に硬く、通常の機械加工では切断出来ません。
穴あけ・曲線・斜め線・凸凹のある形など、異形の外形加工はレーザー加工機を使用します。
通常の短形（長方形）の切断は、ダイシング装置により加工いたします。 |
検査
要求された品質基準を満たすために、各種測定機器装置を使用して評価・判定を行っております。
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| 計測/測定機器 |
測定内容 |
| 蛍光Ｘ線膜厚計 |
最表面膜厚の測定 |
| 表面粗さ計 |
膜厚の測定 |
| 投影機 |
パターン内の線幅等測定 |
| デジタルマルチメーター |
パターン内の抵抗値測定 |
| デジタルノギス |
外形寸法測定 |
| デジタルマイクロメーター |
基板厚の測定 |
| 4端子抵抗計 |
抵抗膜のシート抵抗値測定 |
| 測長器（金属顕微鏡） |
マスク等の寸法検査 |
| 板厚 |
０．１ |
０．２５ |
０．３８ |
０．６３５ |
１．０ |
| 記号 |
項目 |
最小寸法 |
最小寸法 |
最小寸法 |
最小寸法 |
最小寸法 |
| Ａ |
外形（ダイシング） |
０．５ |
０．５ |
０．５ |
０．８ |
２．０ |
| Ｂ |
外形（ダイシング－レーザー間） |
１．０ |
１．０ |
１．０ |
２．０ |
２．０ |
| Ｃ |
外形（レーザー－レーザー間） |
０．２５ |
０．２５ |
０．４ |
０．４ |
０．８ |
| Ｄ |
基板端－穴間隔 |
０．５ |
０．５ |
０．５ |
０．５ |
０．８ |
| Ｅ |
スルホール |
０．１２ |
０．２ |
０．２ |
０．３ |
０．４ |
| Ｆ |
スルホール－パターン間隔 |
０．１ |
０．１ |
０．１ |
０．１ |
０．１ |
| Ｇ |
パターン－穴間隔 |
０．１ |
０．１ |
０．１ |
０．１ |
０．１ |
| Ｈ |
基板端－パターン間隔 |
０．０５ |
０．０５ |
０．０５ |
０．０５ |
０．０５ |
| Ｒ |
レーザー内Ｒ |
０．１ |
０．１ |
０．１ |
０．２ |
０．２ |
| 注記１ 外形加工（ダイシング加工）の仕上がり寸法公差 ： ±０．０５ |
| 注記２ レーザー加工（スルホール・穴 他）の仕上がり寸法公差 ：
±０．１ |
| メッキ導体種類 |
Ａｕ Ｓｎ用 |
Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ （Ｐｄフリー） |
| 導体膜厚 |
２μｍ |
５μｍ |
３μｍ／１μｍ／１μｍ |
| 記号 |
項目 |
最小寸法 |
公差 |
最小寸法 |
公差 |
最小寸法 |
公差 |
| Ｗ |
導体寸法 |
０．０３ |
±０．０１ |
０．０４ |
±０．０１ |
０．０５ |
±０．０１ |
| Ｉ |
抵抗寸法（幅） |
０．１ |
±０．０１ |
０．１ |
±０．０１ |
０．１ |
±０．０１ |
| Ｊ |
抵抗寸法（長さ） |
０．１ |
±０．０１ |
０．１ |
±０．０１ |
０．１ |
±０．０１ |
| Ｓ |
パターン間隔 |
０．０３ |
±０．０１ |
０．０４ |
±０．０１ |
０．０５ |
±０．０１ |
| 規格外のご要求品でもぜひに都度ご相談ください。前向に対応をさせていただきます。 |
回路基板ＴＯＰ
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