仕様詳細

当社ではスクリーン印刷(厚膜)及びPVD(薄膜)技術とフォトリソ技術を用いた各種回路基板を製造しております。
当社の製品は人工衛星、基地局等の情報通信機器や産業機器、センサ、民生デバイス、ディスプレイなど幅広い分野に供給させて頂いています。
お客様のご要望に応じて、各種精密回路基板を高い信頼性で提供させて頂きますので、お気軽にお問い合わせください。

加工仕様詳細

厚膜技術

基材
セラミック、ガラス、PI、PEN、PET、金属板 等
ペースト
ガラス、Ag、Au、Pt、PI、ソルダーレジスト、カーボン 等
膜厚
0.2μm〜100μm
線幅
Line / Space ≧ 100 / 120μm
加工サイズ
最大 1000×1600mm

薄膜技術

基材
セラミック、ガラス、AlN 等
スパッタリング
Cr、Ti、Pd、Cu、Au、NiCr、TaN
蒸着
Cr、Ti、Pd、Ni、Mo、Au、Pt
メッキ
Au、Ag、Cu、Ni、Sn 等
膜厚
総厚2〜5μm標準
線幅
Line / Space ≧ 30μm  ※Au2.0μm厚
加工サイズ
最大 100×100mm

薄膜基板設計仕様

板厚 0.1 0.25 0.38 0.635 1
記号 項目 最小寸法 最小寸法 最小寸法 最小寸法 最小寸法
A 外形(ダイシング) 0.5 0.5 0.5 0.8 2
B 外形(ダイシング - レーザー間) 1 1 1 2 2
C 外形(レーザー - レーザー間) 0.25 0.25 0.4 0.4 0.8
D 基板端 - 穴間隔 0.5 0.5 0.5 0.5 0.8
E スルホール 0.12 0.2 0.2 0.3 0.4
F スルホール - パターン間隔 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
G パターン - 穴間隔 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
H 基板端 - パターン間隔 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05
R レーザー内R 0.1 0.1 0.1 0.2 0.2

(mm)

薄膜基板パターン寸法設計仕様

メッキ導体種類 Au(樹脂・AuSn) Cu/Ni/Au(Pdフリー)
導体膜厚 2μm 5μm 3μm/1μm/1μm
記号 項目 最小寸法 公差 最小寸法 公差 最小寸法 公差
W 導体寸法 0.03 ±0.01 0.04 ±0.01 0.05 ±0.01
I 抵抗寸法(幅) 0.1 ±0.01 0.1 ±0.01 0.1 ±0.01
J 抵抗寸法(長さ) 0.1 ±0.01 0.1 ±0.01 0.1 ±0.01
S パターン間隔 0.03 ±0.01 0.04 ±0.01 0.05 ±0.01

(mm)

図

※外形加工(ダイシング加工)の仕上がり寸法公差:±0.05
レーザー加工(スルホール・穴 他)の仕上がり寸法公差:±0.1

工程フロー

工程フロー

出荷検査

要求された品質基準を満たすために、各種測定機器装置を使用して評価・判定を行っております。

厚膜測定
蛍光X線膜厚計、表面粗さ計
線幅測定
投影機、金属顕微鏡
板厚・外形寸法測定
デジタルノギス、マイクロメーター
抵抗膜シート抵抗値測定
4端子抵抗計

信頼性試験

製品、品質を保証する為、各種環境試験装置、解析機器を取り揃えております。

  • 高温保存試験、高温高湿試験、熱衝撃試験、低温保存試験、高温高湿バイアス試験
  • TCR試験、マイグレーション試験、半田濡れ性試験、引張り強度試験、シェア強度試験、断面資料作成装置
  • レーザー他各種顕微鏡

付属技術

  • レーザー加工(CO2レーザー加工)……外形加工、スルホール加工
  • サンドブラスト加工(マイクロブラスト加工)……外形加工、スルホール加工
  • ダイシング加工
  • スクライブ加工(ガラススクライブ、レーザースクライブ)
  • 溶射加工
  • 研磨加工